256GB-UFS_20

Samsung anunció hoy que arrancó la producción en masa de las primeras memorias flash ultrarrápidas de 256GB basadas en el estándar Universal Flash Storage 2.0 para dispositivos móviles de alta gama, incluyendo smartphones.

La compañía presentó en febrero del año pasado las primeras memorias flash UFS 2.0 de 128GB. Se trata de un estándar que promete un mejor rendimiento de lectura y escritura, cercano a las SSD y con un 50% menos consumo energético.

Las nuevas memorias están basadas en los chips de memoria V-NAND más avanzados de Samsung y en un controlador de alto rendimiento capaz de manejar entre 45.000 y 40.000 operaciones de entrada/salida por segundo, casi el doble de rápido que la anterior generación de memorias UFS.

Para la lectura secuencial, el UFS de 256GB aprovecha dos vías de transferencia de datos para mover los datos a velocidades de hasta 850MB/s, casi el doble de rápido que una típica SSD SATA utilizada en los PCs. En materia de lectura secuencial, soporta velocidades de hasta 260MB/s, que es aproximadamente tres veces más rápido que las tarjetas externas microSD de alto rendimiento, declaró Joo Sun Choi, vicepresidente ejecutivo en ventas y marketing de memorias en Samsung Electronics.

Un chip UFS de 256GB es capaz de almacenar casi 47 películas Full HD. Además, con la interfaz USB 3.0, podrás enviar en sólo 12 minutos un vídeo de 5GB.

Es muy probable que veamos estas nuevas memorias dentro del próximo buque insignia de la compañía, concretamente el Samsung Galaxy S8, que está previsto para aparecer a comienzos del 2017.

Fuente: Samsung

Samsung arranca la producción en masa de memorias flash UFS 2.0 de 256GB para dispositivos móviles de alta gama
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